供应 鹏城半导体 pecvd等离子增强化学气相沉积 非标定制

鹏城半导体技术（深圳）有限公司提供供应 鹏城半导体 pecvd等离子增强化学气相沉积 非标定制。

pecvd设备（等离子体增加强化学气相沉积pecvd）主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积pecvd薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3、配置尾气处理装置。

设备安全性设计
1、电力系统的检测与保护
2、设置真空检测与报警保护功能
3、温度检测与报警保护
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护

设备技术指标

 类型 参数  样片尺寸 ≤φ8英寸（或多片2英寸）
 样片加热台加热温度 室温～ 600℃±0.1℃
 真空室 ≤7×10-5pa
 工作背景真空 ≤8×10-4pa
 设备总体漏放率 停泵12小时后，真空度≤10pa
 样品、电极间距 5mm ～ 50mm在线可调
 工作控制压强 10pa ～ 1500pa
 气体控制回路 根据工艺要求配置
 单频电源的频率 13.56mhz
 双频电源的频率 13.56mhz/400khz

工作条件
 类型 参数  供电 三相五线制 ac 380v
 工作环境温度 10℃～ 40℃
 气体阀门供气压力 0.5mpa ～ 0.7mpa
 流量控制器输入压力 0.05mpa ～ 0.2mpa
 冷却水循环量 0.6m3/h 水温18℃～ 25℃
 设备总功率 7kw
 设备占地面积 2.0m ～ 2.0m

单室与多室pecvd设备

1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

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