供应 鹏城半导体 lpcvd设备 低压化学气相沉积设备

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小型lpcvd设备（低压化学气相沉积设备）简介

lpcvd是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

设备结构及特点

1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本

两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。

基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。

基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。

2、设备为水平管卧式结构

由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成，nfs、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了xj的检测和控制系统，量值准确，性nwdkk。

设备主要技术指标

成膜类型 si3n4、poly-si、sio2等

温度 1200℃

恒温区长度 根据用户需要配置

恒温区控温精度 ≤±0.5℃

工作压强范围 13～1330pa

膜层不均匀性 ≤±5％

基片每次装载数量 标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干

压力控制 闭环充气式控制

装片方式 手动进出样品

生产型lpcvd设备简介

设备功能

该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）。

可提供相关镀膜工艺。

设备结构及特点：

设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成，nfs kwr、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了xj的检测和控制系统，量值准确，xnwdkk。

整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。

设备主要技术指标

成膜类型 si3n4、poly-si、sio2等

温度 1200℃

恒温区长度 根据用户需要配置

恒温区控温精度 ≤±0.5℃

工作压强范围 13～1330pa

膜层不均匀性 ≤±5％

基片每次装载数量 100片

设备总功率 16kw

冷却水用量 2m3/h

压力控制 闭环充气式控制

装片方式 悬臂舟自动送样

lpcvd软件控制界面

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     本公司主营： pvd物理气相沉积 - cvd化学气相沉积 - 分子束外延系统mbe - PVD真空镀膜设备 - 热丝CVD金刚石设备
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